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摘要：一种高密度半导体晶圆MIM电容，包含衬底层，沿衬底层的一侧依次设置有半导体外延层、底电极层、上电容介质层、顶电极层，衬底层和半导体外延层中设置有贯穿衬底层和半导体外延层且深度直至底电极层的背通孔，背通孔内表面和与衬底层相邻的外表面沿远离底电极层的方向设置背通孔内金属层、下电容介质层、背面金属层，底电极层和顶电极层之间形成正面常规MIM电容，背通孔内金属层和背面金属层间形成背通孔MIM电容；本发明还公开了该电容的制备方法；通过正面常规MIM电容和背通孔中制备的背通孔MIM电容，能增加有效的电极表面积；本发明将芯片背面利用起来，正面常规MIM电容和背通孔MIM电容结合可以实现更高的电容值，达到节约芯片面积，降低成本的目的。
主权项：1.一种高密度半导体晶圆MIM电容，包含衬底层1，沿所述衬底层1的一侧依次设置有半导体外延层2、底电极层3、上电容介质层4、顶电极层5，其特征在于，所述衬底层1和半导体外延层2中设置有背通孔9，所述背通孔9贯穿衬底层1和半导体外延层2，深度直至底电极层3；所述背通孔9内表面和与其相邻的衬底层1外表面沿远离底电极层3的方向依次设置有背通孔内金属层8、下电容介质层7、背面金属层6；所述底电极层3和背通孔内金属层8相接，形成电极接触。
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百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院 一种高密度半导体晶圆MIM电容及其制备方法
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