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摘要：本发明涉及MIM电容技术领域,公开了一种高平坦度的下极板的MIM电容及其制造方法，在本发明的制造方法中，通过将TEOS与氧气反应后生成的二氧化硅沉积在衬底上，能够为第一金属层提供一个优质的PVD淀积生长起始层，从而使生成的第一金属层更加匀质、稳定；在本发明的方法中，通过物理气相方法生长第一金属层即第一铝层、第三金属层即钛层和下盖板层后，然后使用化学气相沉积生长电介质层，在该化学气相沉积工艺中铝层和钛层的接触面会反应生成铝钛合金，该铝钛合金会抑制铝层的原子向上迁移，进而避免铝层出现鼓包的现象。

主权项：1.一种高平坦度的下极板的MIM电容的制造方法，高平坦度的下极板的MIM电容包括设置在衬底上的放置层，所述放置层上从下往上依次设有下极板、电介质层和上极板，所述下极板包括从下往上依次设置的第一金属层、抑制层和下盖板层，所述抑制层被配置于抑制所述第一金属层的原子向上迁移；所述第一金属层的材料是铝，所述抑制层的材料是钛铝合金；所述上极板包括从下往上设置的第二金属层和上盖板层，所述第二金属层的材料是铝，所述电介质层的材料是氮化硅；制造方法包括以下步骤：S1：在衬底上制作放置层；S2：在放置层上生长第一金属层；S3：在所述第一金属层上制作抑制层；S4：在所述抑制层上生长下盖板层；S5：在所述下盖板层上生长电介质层；S6：在所述电介质层上生长上极板；S7：在第二金属层上生长上盖板层；S8：在上盖板层上涂抹光刻胶来制作光刻胶层，通过光刻工艺在光刻胶层上定义MIM电容的实际上盖板层的图形，接着通过刻蚀工艺蚀刻所述上盖板层、第二金属层和电介质层，将光刻胶层上定义的实际上盖板层的图形转移到所述上盖板层、第二金属层和电介质层上；S9：在下盖板层上未被电介质层覆盖的区域涂抹光刻胶来制作第二光刻胶层，通过光刻工艺在所述第二光刻胶层上定义MIM电容的实际下盖板层的图形，接着通过刻蚀工艺蚀刻所述下盖板层、抑制层和第一金属层，将第二光刻胶层上定义的实际下盖板层的图形转移到所述下盖板层、抑制层和电介质层上；步骤S2、S4、S6和S7中均使用物理气相沉积的方式来生长第一金属层、下盖板层、第二金属层和上盖板层，步骤S5中使用化学气相沉积的方式生长电介质层；在步骤S3中通过物理沉积方式沉积一层钛层，第一金属层和第二金属层的材料是铝，在步骤S5的化学气相沉积工艺中，钛层与第一金属层的接触面反应生成钛铝合金层，步骤S5的化学气相沉积工艺的温度为400摄氏度。

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