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摘要:本公开提供一种高压硅电容以及电子设备,高压硅电容包括:若干硅电容单元;硅电容单元通过叠层的方式进行互连;每一硅电容单元包括在同一硅衬底上刻蚀出的若干深通孔;对于每一深通孔,从中心轴到内壁之间依次设有钨导电层和介质层;深通孔是由采用半导体深槽工艺刻蚀出的深沟槽,再通过将晶圆的背面减薄去除深沟槽的底部得到的。本公开中硅电容单元通过将沟槽底部圆弧角落磨除,消除电场在底部圆弧聚集,达到超高压的目标,提升了耐压性能及可靠性;硅电容单元中NON介质层具有更高的雪崩门限电场及介电常数,能够进一步提升耐压能力及电容密度;硅电容单元通过叠层的方式实现互连,大为提高了电容量。
主权项:1.一种高压硅电容,其特征在于,所述高压硅电容包括:若干硅电容单元;所述硅电容单元通过叠层的方式进行互连;每一所述硅电容单元包括在同一硅衬底上刻蚀出的若干深通孔;对于每一所述深通孔,从中心轴到所述内壁之间依次设有钨导电层和介质层;所述深通孔是由采用半导体深槽工艺刻蚀出的深沟槽,再通过将晶圆的背面减薄去除所述深沟槽的底部得到的。
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