龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供了一种电容器及其制造方法，半导体衬底中形成有第一沟槽，第一介质层覆盖所述第一沟槽表面，第一导电层形成在所述第一介质层上并且所述第一导电层的表面呈凹凸状，第二介质层保形覆盖所述第一导电层，第二导电层形成在所述第二介质层上，由此，增加了所述半导体衬底上所述第一介质层和所述第二介质层的面积，相应的，提高了半导体衬底、第一介质层和第一导电层形成的第一电容器以及第一导电层、第二介质层和第二导电层形成的第二电容器的电容量。
主权项：1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底作为电容器的电极，所述半导体衬底中形成有掺杂区和至少一个第一沟槽；位于所述半导体衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底表面以及所述第一沟槽表面，所述第一介质层暴露出至少部分所述掺杂区；位于所述第一介质层上的第一导电层，所述第一导电层填充所述第一沟槽并凸出于所述半导体衬底的表面以使所述第一导电层的表面呈凹凸状；位于所述第一导电层上的第二介质层，所述第二介质层保形覆盖所述第一导电层，所述第二介质层暴露出部分所述第一导电层；以及，位于所述第二介质层上的第二导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 电容器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号