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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；执行至少一外延周期，以于衬底上形成包括由下至上依次叠置的第一外延层和第二外延层；外延周期包括：于衬底上形成第一外延层，第一外延层包括第一元素和具有偏析特性的第二元素的化合物；采用第一元素的卤素化合物对第一外延层的上表面进行表面处理；于表面处理后的第一外延层的上表面形成第二外延层，第二外延层包括第一元素。由于采用第一元素的卤素化合物对第一外延层的上表面进行表面处理，从而能够减薄第一外延层与第二外延层之间的界面过渡层的厚度并改善界面过渡层的陡峭度，从而能够避免载流子的迁移率下降。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；执行至少一外延周期，以于所述衬底上形成包括由下至上依次叠置的第一外延层和第二外延层；所述外延周期包括：于所述衬底上形成所述第一外延层，所述第一外延层包括第一元素和具有偏析特性的第二元素的化合物；采用所述第一元素的卤素化合物对所述第一外延层的上表面进行表面处理；于表面处理后的所述第一外延层上形成所述第二外延层，所述第二外延层包括所述第一元素。
全文数据：
权利要求：
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