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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，在所述基底表面形成布线层以及覆盖所述布线层的介质层；在所述介质层内形成间隔设置的初始第一凹槽和初始第二凹槽，所述初始第一凹槽和所述初始第二凹槽的底部高于所述布线层；形成阻挡层，所述阻挡层至少填充于所述初始第一凹槽；刻蚀处理，至少包括：沿所述初始第一凹槽刻蚀所述阻挡层以形成第一凹槽，沿所述初始第二凹槽刻蚀所述介质层以形成第二凹槽，所述第二凹槽露出所述布线层；形成填充所述第一凹槽的伪焊盘，形成填充所述第二凹槽的焊盘，且所述焊盘与所述布线层电连接。本公开实施例至少可以简化生产工艺。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底表面形成布线层以及覆盖所述布线层的介质层；形成位于所述介质层内的停止层，且所述停止层在所述基底上的正投影与所述布线层在所述基底上的正投影错开设置；在所述介质层内形成间隔设置的初始第一凹槽和初始第二凹槽，所述初始第一凹槽和所述初始第二凹槽的底部高于所述布线层，所述初始第一凹槽形成于所述停止层的正上方；形成阻挡层，所述阻挡层至少填充于所述初始第一凹槽；刻蚀处理，至少包括：沿所述初始第一凹槽刻蚀所述阻挡层以形成第一凹槽，沿所述初始第二凹槽刻蚀所述介质层以形成第二凹槽，所述第二凹槽露出所述布线层；形成填充所述第一凹槽的伪焊盘，形成填充所述第二凹槽的焊盘，且所述焊盘与所述布线层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法和半导体结构
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