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申请/专利权人：新电元工业株式会社
摘要：半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，其由碳化硅构成；第一导电型的漂移层，其被设置在所述半导体基板的一个主面上；第二导电型的阱区，其被设置在所述漂移层上；所述第二导电型的高浓度区域，其被设置在所述阱区，并且掺杂物浓度比所述阱区更高；所述第一导电型的源极区域，其与所述高浓度区域相邻设置；绝缘膜，其被设置在所述漂移层的表面上；第一接触金属膜，其经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触；第二接触金属膜，其被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触；以及源电极膜，其被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面，其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜为单层膜且包含钛。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新电元工业株式会社 半导体装置的制造方法以及半导体装置
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