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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开描述了具有与源极漏极结构隔离的接触结构的半导体器件。该半导体结构包括栅极结构，位于衬底上；第一源极漏极SD结构和第二源极漏极结构，位于所述栅极结构的相对侧上；隔离层，位于所述第二SD结构上，第三SD结构，与所述第二SD结构相邻并且与所述第二SD结构分隔开；以及SD接触结构，位于所述隔离层和所述第三SD结构上。所述隔离层将所述SD接触结构与所述第二SD结构分隔开。本公开的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：栅极结构，位于衬底上；第一源极漏极结构和第二源极漏极结构，位于所述栅极结构的相对侧上；隔离层，位于所述第二源极漏极结构上；第三源极漏极结构，与所述第二源极漏极结构相邻并且与所述第二源极漏极结构分隔开；以及源极漏极接触结构，位于所述隔离层和所述第三源极漏极结构上，其中，所述隔离层将所述源极漏极接触结构与所述第二源极漏极结构分隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构、半导体器件及其形成方法
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