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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构，制作方法包括：提供金属层；形成钝化层，钝化层覆盖金属层的顶表面；形成至少一个沟槽，沟槽至少贯穿钝化层；形成介质材料层，介质材料层填充沟槽并覆盖钝化层的顶表面；以钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨介质材料层，研磨保留的介质材料层在沟槽中形成介质层。本公开通过调整工艺顺序，在对金属层进行刻蚀处理之前，在整层的金属层上形成钝化层，减小形成在金属层上的膜层的厚度，然后执行形成沟槽、形成介质材料层填充沟槽的步骤，以钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨介质材料层，优化了制程过程，提高了处理效率，提高形成的半导体结构的品质。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供金属层；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述金属层的顶表面；形成至少一个沟槽，所述沟槽至少贯穿所述钝化层；形成介质材料层，所述介质材料层填充所述沟槽并覆盖所述钝化层的顶表面；以所述钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨所述介质材料层，研磨保留的所述介质材料层在所述沟槽中形成介质层。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构
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