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摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；于所述接触窗口内形成节点接触层，所述节点接触层内部具有空隙；刻蚀所述节点接触层，利用所述空隙在所述节点接触层中形成凹陷；于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞。本发明减小了节点接触层与接触插塞之间的接触电阻，改善了半导体结构的性能以及产品良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口；于所述接触窗口内形成节点接触层；所述接触窗口上部未填满所述节点接触层并于所述接触窗口内形成沟槽；在所述接触窗口侧壁形成侧壁掩膜层；利用所述侧壁掩膜层刻蚀所述节点接触层，于所述节点接触层中形成凹陷；于所述凹陷的节点接触层上形成接触插塞；其中，所述侧壁掩膜层包括多层掩膜层，利用所述多层掩膜层于所述节点接触层中形成阶梯状的所述凹陷。
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