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摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括核心区以及外围区，且核心区的衬底内具有第一栅极，核心区的第一栅极相对两侧的衬底内具有第一掺杂区，衬底暴露出第一掺杂区的顶面，第一掺杂区的顶面具有介质层；外围区的衬底上具有第二栅极，外围区的第二栅极相对两侧的衬底内具有第二掺杂区；第一导电柱，所述第一导电柱位于所述第一掺杂区内，且凸出于所述衬底表面；第二导电柱，第二导电柱位于第二掺杂区内，且凸出于衬底表面，且第二导电柱位于第二掺杂区内的深度小于第一导电柱位于第一掺杂区内的深度，可以解决现有半导体结构结深变浅，接触通孔过深导致的衬底漏电过大的问题。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括核心区以及外围区，且所述核心区的所述衬底内具有第一栅极，所述核心区的所述第一栅极相对两侧的所述衬底内具有第一掺杂区，所述衬底暴露出所述第一掺杂区的顶面，所述第一掺杂区的顶面具有介质层；所述外围区的所述衬底上具有第二栅极，所述外围区的所述第二栅极相对两侧的所述衬底内具有第二掺杂区；在所述外围区的所述衬底上形成阻挡层，所述阻挡层位于所述第二掺杂区表面；在所述核心区以及所述外围区的所述衬底上形成具有开口的掩膜层，且所述掩膜层还位于所述阻挡层和所述介质层表面，所述掩膜层的材料与所述阻挡层的材料不同；以所述掩膜层为掩膜，沿所述开口刻蚀所述核心区的所述介质层以及所述第一掺杂区，以在所述第一掺杂区内形成第一沟槽，且还沿所述开口刻蚀所述外围区的所述阻挡层以及所述第二掺杂区，以在所述第二掺杂区内形成第二沟槽，且所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；形成第一导电柱，所述第一导电柱填充满所述第一沟槽且凸出于所述衬底表面；形成第二导电柱，所述第二导电柱填充满所述第二沟槽且凸出于所述衬底表面。
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