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摘要：提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
主权项：1.一种半导体装置，包括：半导体层；第一绝缘层；第二绝缘层；金属氧化物层；以及导电层，其中，所述第一绝缘层、所述金属氧化物层及所述导电层依次层叠在所述半导体层上，所述第一绝缘层具有第一层、第二层及第三层依次层叠的叠层结构，在沟道长度方向的截面中，所述第一绝缘层的端部位于所述半导体层的端部的内侧，在沟道长度方向的截面中，所述金属氧化物层的端部位于所述第一绝缘层的端部的内侧，在沟道长度方向的截面中，所述导电层的端部位于所述金属氧化物层的端部的内侧，所述第二绝缘层以覆盖所述半导体层、所述第一绝缘层、所述金属氧化物层及所述导电层的方式设置，所述半导体层包含铟及氧，所述第二层的膜密度低于所述第一层及所述第三层的膜密度，并且，通过二次离子质谱分析法测得的所述第二层的氢浓度高于通过二次离子质谱分析法测得的所述第一层及所述第三层的氢浓度。
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百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
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