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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2020-10-27
公开（公告）日：2024-12-06
公开（公告）号：CN114496904B
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，基底内还形成有多个分立的通孔，且位于第一区域的通孔的排布密度大于位于第二区域的通孔的排布密度；形成填充通孔的牺牲层；刻蚀牺牲层周围部分厚度的基底形成开口，开口环绕牺牲层，在垂直于基底表面的方向上，开口的深度小于通孔的深度；去除牺牲层，开口与对应的通孔相连通，形成沟槽；本发明实施例用于避免因不同的图案密度所产生的刻蚀缺陷。
专利权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，所述基底内还形成有多个分立的通孔，且位于所述第一区域的所述通孔的排布密度大于位于所述第二区域的所述通孔的排布密度；形成填充所述通孔的牺牲层；刻蚀所述牺牲层周围部分厚度的所述基底形成开口，所述开口环绕所述牺牲层，在垂直于所述基底表面的方向上，所述开口的深度小于所述通孔的深度；且所述通孔的排布密度越小，相应形成的位于所述通孔周围的所述开口的深度越深；去除所述牺牲层，所述开口与对应的所述通孔相连通，形成沟槽。
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的形成方法
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