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摘要：一种新型栅极结构的SiC场效应晶体管器件及制备方法，涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在SiCSub层上形成SiCEpi层；S200，在NP区侧部形成PP区；S300，在SiCEpi层中部注入形成P‑shield区；S400，在P‑shield区和N+区的顶面形成一层栅极欧姆接触合金层；S500，淀积形成Poly层，作为器件的栅极电压路径；S600，制备隔离器件栅电极和源电极的隔离介质层，作为隔离器件栅电极和源电极的介质；S700，依次制备源极欧姆接触合金层、源极金属层、漏极欧姆接触合金层和漏极金属层。本发明实现了对SiCMOSFET器件栅氧化层良好的保护效果，提高了器件的栅氧化层可靠性。
主权项：1.一种新型栅极结构的SiC场效应晶体管器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上形成SiCEpi层（2），并在SiCEpi层（2）内依次注入形成P-body区（3）和NP区（4）；S200，在NP区（4）侧部形成PP区（5）；S300，在SiCEpi层（2）中部注入形成P-shield区（6），并在P-shield区（6）内形成N+区（7），通过高温离子激活注入区完全形成；S400，在P-shield区（6）和N+区（7）的顶面形成一层栅极欧姆接触合金层（8），并在栅极欧姆接触合金层（8）侧部生长形成一层栅氧化层（9）；S500，淀积形成Poly层（10），作为器件的栅极电压路径；S600，制备隔离器件栅电极和源电极的隔离介质层（11），作为隔离器件栅电极和源电极的介质S700，依次制备源极欧姆接触合金层（12）、源极金属层（13）、漏极欧姆接触合金层（14）和漏极金属层（15）。
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