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一种微沟槽SiC MOSFET器件及制备方法 

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摘要:一种微沟槽SiCMOSFET器件及制备方法,涉及半导体技术领域。通过在器件栅极处微沟槽刻蚀形成凸台区,在凸台区的底部注入形成P‑shield区,实现了对器件栅氧化层的保护并且还同时减小了P‑shield区所带来的器件内阻增加。在器件阻断过程中,凸台区底部的P‑shield区可以很好的屏蔽电场,避免电场在栅氧化层集中。而又因P‑shield区的底面相较于P‑body区处于较高位置,因此P‑shield区所引起的内阻增加会较小,不会过多影响器件的性能。

主权项:1.一种微沟槽SiCMOSFET器件制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S100,在SiCSub层(1)上一层SiCDrift层(2),并通过离子注入初步形成CSL区(3);S200,通过微刻蚀,在CSL区(3)的中间顶部形成凸台区;S300,通过离子注入依次初步形成P-body区(4)、NP区(5)和PP区(6);S400,在CSL区(3)上的凸台区的顶面通过离子注入初步形成P-shield区(7);并通过高温离子激活使CSL区(3)、P-body区(4)、NP区(5)、PP区(6)P-shield区(7)注入区完全形成;S500,在CSL区(3)上生长覆盖P-shield区(7)的栅氧化层(8);S600,淀积形成作为器件栅电极的Poly层(9)和避免器件栅电极与源电极短接的隔离介质层(10);S700,制备源极欧姆接触合金层(11)和正面电极金属层(12)。

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