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摘要：本发明公开一种堆叠互补场效应晶体管ComplementaryField‑EffectTransistor，CFET及其逻辑器件，包括纳米线，源极半导体，漏极半导体，沟道半导体，栅极结构和绝缘隔离介质。纳米线上分布有多个环绕柱状沟道结构半导体纳米线场效应晶体管，通过分别对其进行n型掺杂或p型掺杂形成堆叠互补场效应晶体管CFET结构，通过不同的电学连接，进而组成CMOS反相器等逻辑器件。本发明旨在提供一种由新的3D结构的堆叠互补场效应晶体管及其形成的逻辑器件。
主权项：1.堆叠互补场效应晶体管,其特征在于，包括纳米线，所述纳米线至少包括N型掺杂的第一线段和P型掺杂的第二线段；第一线段、第二线段包括源极半导体、沟道半导体、漏极半导体，分别构成NMOS、PMOS；第一线段、第二线段中的源极半导体和漏极半导体呈上下分布。
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权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种堆叠互补场效应晶体管及逻辑器件
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