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摘要：本发明公开了一种基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法；该生物传感器包括衬底、源区、纳米片堆叠区、隔离区以及漏区；纳米片堆叠区靠近隔离区的一侧被环形的栅金属层包围形成沟道区，另一侧与源区相接触形成源接触区；纳米片堆叠区包括平行设置的多个纳米片导电沟道层；最上层的纳米片导电沟道层与栅金属层之间、每两个上下相近的纳米片导电沟道层之间，以及最下层的纳米片导电沟道层与栅金属层之间均形成腔体；每个腔体靠近隔离区一端的空间内填充有栅介质，另一端未填充栅介质的空间形成生物分子填充腔；生物分子填充腔的入口位于源接触区；本发明提供了一种高敏感度、能够克服短沟效应、工艺制造难度低且性能稳定的生物传感器。
主权项：1.一种基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，包括：衬底、源区、纳米片堆叠区、隔离区以及漏区；其中，所述源区、所述纳米片堆叠区、所述隔离区以及所述漏区沿水平方向依次设置于所述衬底之上；所述纳米片堆叠区靠近所述隔离区的一侧被环形的栅金属层包围形成沟道区，另一侧与所述源区相接触形成源接触区；所述纳米片堆叠区包括平行设置的多个纳米片导电沟道层；其中，最上层的纳米片导电沟道层与所述栅金属层之间、每两个上下相近的纳米片导电沟道层之间，以及最下层的纳米片导电沟道层与所述栅金属层之间均形成腔体；每个所述腔体靠近所述隔离区一端的空间内填充有栅介质，另一端未填充栅介质的空间形成生物分子填充腔；所述生物分子填充腔的入口位于所述源接触区；所述源区上表面设有源电极、所述漏区上表面设有漏电极、所述栅金属层的表面设有栅电极。
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百度查询： 西安国微半导体有限公司 基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法
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