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摘要：一种集成SBD的单边沟槽SiCMOS器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅SiCMOSFET器件中，通过在沟槽一侧形成P+区实现了单边沟槽结构；器件使用时，P+区与SiCDrift层形成的空间耗尽层屏蔽电场，保护栅氧化层，避免栅氧化层的提早失效，并且在沟槽另一侧形成N+区，降低了器件内阻，同时在顶面制备肖特基接触，使器件内部集成了SBD体二极管，从而减小了器件的续流损耗。
主权项：1.一种集成SBD的单边沟槽SiCMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+Sub层（1）上外延生长N-Drift层（2）；S200，在N-Drift层（2）的顶面通过Al离子注入初步形成Pwell区（3）；S300，在Pwell区（3）的顶面通过N离子注入初步形成NP区（4）；S400，在N-Drift层（2）的上表面通过刻蚀形成沟槽；S500，在沟槽的一侧内表面通过斜向Al离子注入初步形成作为屏蔽电场的P+区（5）；S600，在沟槽的另一侧内表面通过斜向N离子注入初步形成用于降低器件内阻的N+区（6），并在后续形成SBD体二极管；S700，通过高温离子激活使Pwell区（3）、NP区（4）、P+区（5）和N+区（6）注入区激活形成；S800，在沟槽的内表面通过干氧氧化方式生长形成栅氧化层（7）；S900，在栅氧化层（7）的顶面通过多晶硅淀积方式形成Poly层（8）；S1000，在NP区（4）顶面和沟槽底面通过氧化层淀积方式形成隔离介质层（9）；S1100，在NP区（4）顶面和沟槽底面形成欧姆接触和肖特基接触的合金层（10）；S1200，在器件上方金属溅射形成正面电极金属层（11）。
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