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摘要：本发明涉及一种SiC器件及其制造方法，其中，一种SiC器件，包括n型衬底、n型缓冲层、n型漂移区、第一p阱区、第二p阱区、第三p阱区、n+源区，p+接触区、栅氧化层、多晶硅栅、第一隔离介质、第二隔离介质、漏极欧姆接触层和漏电极；n型缓冲层外延在n型衬底的上表面且n型缓冲层的顶部外延有凸起，n型漂移区的底部开设有凹槽；n型漂移区的顶部依次覆盖有第一p阱区、第二p阱区、第三p阱区和n+源区。其有益效果是，n型缓冲层与n型漂移区的凸起与凹槽设计：增强了两者之间的机械连接和电学接触，提高了器件的稳定性和可靠性，而通过不同掺杂浓度的p阱区实现电场分布的优化，降低器件的导通电阻，提高装置的安全性。
主权项：1.一种SiC器件，其特征在于，包括n型衬底（1）、n型缓冲层（2）、n型漂移区（3）、第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）、n+源区（7），p+接触区（8）、栅氧化层（9）、多晶硅栅（15）、第一隔离介质（16）、第二隔离介质（17）、漏极欧姆接触层（18）和漏电极（19）；所述n型缓冲层（2）外延在n型衬底（1）的上表面且n型缓冲层（2）的顶部外延有凸起，所述n型漂移区（3）的底部开设有凹槽，所述凸起与凹槽相互配合形成n型缓冲层（2）与n型漂移区（3）的固定；所述n型漂移区（3）的顶部依次覆盖有第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）和n+源区（7），所述第一p阱区（4）、第二p阱区（5）、第三p阱区（6）和n+源区（7）的外侧外延有p+接触区（8）；所述p+接触区（8）的顶部外延有栅氧化层（9），所述栅氧化层（9）的顶部外延有多晶硅栅（15），所述多晶硅栅（15）的顶部外延有第一隔离介质（16），所述第一隔离介质（16）的顶部外延有第二隔离介质（17）；所述n型衬底（1）的底部外延有漏极欧姆接触层（18），所述漏极欧姆接触层（18）的底部外延有漏电极（19）。
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权利要求：
百度查询： 辽宁省交通高等专科学校 一种SiC器件及其制造方法
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