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摘要：本发明涉及利用埋置绝缘层作为栅极介电质的高压晶体管，通过使用SOI架构的埋置绝缘材料作为栅极介电材料，而可以位于该埋置绝缘层下方的掺杂半导体区的形式设置栅极电极材料，基于成熟的CMOS技术可形成高压晶体管。该高压晶体管可基于形成复杂全耗尽SOI晶体管的流程以高制程兼容性形成，其中，在一些示例实施例中，也可将该高压晶体管设为全耗尽晶体管配置。
主权项：1.一种半导体装置，包括：沟道区，位于半导体层中；漏区与源区，位于该半导体层上，以横向连接该沟道区；埋置绝缘层，包括位于该沟道区下方的一部分；掺杂区，位于该埋置绝缘层下方，嵌埋于衬底中并与第一沟道隔离结构和第二沟道隔离结构之间的栅极接触区连接，该埋置绝缘层的该部分及该掺杂区形成晶体管元件的栅极电极结构；以及层间介电材料，持续延伸于该漏区与该源区之间跨越该漏区的整个高度及该源区的整个高度。
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百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 利用埋置绝缘层作为栅极介电质的高压晶体管
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