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摘要：一种形成堆叠晶体管的方法，包含：利用在基板下方沉积至低锗百分比的硅锗层。基板用于形成场效晶体管结构。在形成场效晶体管结构之后，硅锗层经氧化以将锗驱送至硅锗层的集中子层。集中子层用作移除硅锗层的氧化部分的停止层。
主权项：1.一种形成堆叠晶体管的方法，其特征在于，包含：形成一下部半导体纳米结构及一上部半导体纳米结构，其中该上部半导体纳米结构直接设置于该下部半导体纳米结构上方，该下部半导体纳米结构设置于一蚀刻停止层上方，该蚀刻停止层设置于一半导体基板上方，该蚀刻停止层包含硅锗，且该蚀刻停止层具有与该半导体基板不同的一材料组成；在该下部半导体纳米结构中的每一末端处形成一下部半导体结构，并在该上部半导体纳米结构中的每一末端处形成一上部半导体结构；形成包覆于该下部半导体纳米结构周围的一下部栅极结构及包覆于该上部半导体纳米结构周围的一上部栅极结构，其中该下部半导体结构是与该上部半导体结构的类型相反；氧化该半导体基板；氧化该蚀刻停止层，从而形成该蚀刻停止层的一富锗部分；以及使用该蚀刻停止层的该富锗部分作为一蚀刻停止来移除该半导体基板及该蚀刻停止层的一氧化部分。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成堆叠晶体管的方法
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