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摘要：本发明涉及具有混合源极漏极区的晶体管，揭示了场效应晶体管的结构，以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。半导体衬底包括第一区、第二区、及该第一区中的第一源极漏极区。半导体鳍片定位在该半导体衬底的该第二区上方。该半导体鳍片沿纵轴侧向延伸以连接至该半导体衬底的该第一区。该结构包括第二源极漏极区，该第二源极漏极区包含耦合至该第一半导体鳍片的外延半导体层，以及在该半导体鳍片上方延伸的栅极结构。该栅极结构包括第一侧壁及与该第一侧壁相对的第二侧壁，该第一源极漏极区位在邻接该栅极结构的该第一侧壁，以及该第二源极漏极区位在邻接该栅极结构的该第二侧壁。
主权项：1.一种用于场效应晶体管的结构，该结构包括：半导体衬底，包括第一区、第二区、及该第一区中的第一源极漏极区；第一半导体鳍片，在该半导体衬底的该第二区上方，该第一半导体鳍片沿纵轴侧向延伸以连接至该半导体衬底的该第一区；第二源极漏极区，包括耦合至该第一半导体鳍片的外延半导体层；以及第一栅极结构，在该第一半导体鳍片上方延伸，该第一栅极结构包括第一侧壁及与该第一侧壁相对的第二侧壁，其中，该第一源极漏极区位在邻接该第一栅极结构的该第一侧壁，该第二源极漏极区位在邻接该第一栅极结构的该第二侧壁，且该第一源极漏极区不存在外延半导体材料，以及其中，该第一源极漏极区为该半导体衬底的部分，且该外延半导体层及该半导体衬底的该部分各含有给定导电类型的掺杂物。
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百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有混合源极/漏极区的晶体管
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