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摘要:本发明涉及制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法,属于单晶金刚石制备技术领域。本发明利用铜的高热导率特性铜的热导率是钼的3倍,在圆柱形凹槽内设置圆柱形铜片,可增加基片台中心部位的散热效果,可以很好地解决微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石过程中中心籽晶温度高、边缘籽晶温度低的问题,进而缩小生长过程中籽晶的整体温差,维持生长温度的均匀性,提高良品率。
主权项:1.一种制备单晶金刚石用基片台,其特征在于,包括由上而下依次叠合设置的钼片和钼柱,所述钼片和钼柱均为圆柱形;所述钼片的上端面为平面,平整度小于0.02mm,钼片的下端面为平面,钼片的下端面中部开设有圆柱形凹槽,圆柱形凹槽内设有圆柱形铜片,钼片、圆柱形凹槽和圆柱形铜片的轴线重合,圆柱形铜片的高度和圆柱形凹槽的深度相等,钼片的高度大于圆柱形凹槽的深度。
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百度查询: 河南天璇半导体科技有限责任公司 制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法
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