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摘要：本发明提供一种气相沉积装置及基片处理方法。所述气相沉积装置包括：反应腔，用于执行气相沉积工艺；用于承载基片的基座组件，其设置于所述反应腔的下方；与所述基座组件相对设置的气体喷淋头，其位于所述反应腔的上方，所述基座组件与所述气体喷淋头之间形成一充气空间，所述充气空间可在高压状态和低压状态进行切换；所述基座组件的上表面具有承载基片的中心区域与围绕所述中心区域的边缘区域，在所述气相沉积工艺过程中，所述边缘区域与相对的所述气体喷淋头的下表面之间具有可变化的间距值，在所述高压状态的间距值小于在所述低压状态的间距值。本发明能够保证台阶覆盖率并提高处理效率。
主权项：1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔，用于执行气相沉积工艺；用于承载基片的基座组件，其设置于所述反应腔的下方；与所述基座组件相对设置的气体喷淋头，其位于所述反应腔的上方，所述基座组件与所述气体喷淋头之间形成一充气空间，所述充气空间可在高压状态和低压状态进行切换；所述基座组件的上表面具有承载基片的中心区域与围绕所述中心区域的边缘区域，在所述气相沉积工艺过程中，所述边缘区域与相对的所述气体喷淋头的下表面之间具有可变化的间距值，在所述高压状态的间距值小于在所述低压状态的间距值。
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百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气相沉积装置及基片处理方法
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