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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301933A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20230105 KR 10-2023-0001628"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：一种半导体器件包括：结构，包括导电区域；以及电容器，与该结构的导电区域电连接。该电容器包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括：第一材料层，包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括第一晶体区域和与第一晶体区域不同的第二晶体区域，该第二材料区域在第一晶体区域和第二晶体区域之间；以及在第一材料层上的第二材料层。第一材料层的至少一部分在第二材料层和介电层之间。第一材料区域的材料不同于第二材料区域的材料。
主权项：1.一种半导体器件，包括：包括导电区域的结构；以及电容器，与所述结构的所述导电区域电连接，其中，所述电容器包括与所述导电区域电连接的第一电极、在所述第一电极上的第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的介电层，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括：第一材料层，包括第一材料区域和第二材料区域，所述第一材料区域包括第一晶体区域和与所述第一晶体区域不同的第二晶体区域，所述第二材料区域在所述第一晶体区域和所述第二晶体区域之间，以及在所述第一材料层上的第二材料层，其中，所述第一材料层的至少一部分在所述第二材料层和所述介电层之间，并且所述第一材料区域的材料不同于所述第二材料区域的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括电容器的半导体器件
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