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申请/专利权人：普冉半导体(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路，采用新型下冲带隙基准电路与传统上冲带隙基准电路在瞬态建立期间互补对冲的方式，通过下冲带隙基准电路额外产生一个启动阶段下冲的下冲基准电压，让传统上冲带隙基准电路产生的上冲基准电与下冲基准电压叠加输出带隙基准电压，较好的调和了高压快工艺角过冲与低压慢工艺角建立过缓的矛盾，既抵消了高压快工艺角的过冲电压，又加快了低压慢工艺角的建立速度，达到所有工艺角下基准电压建立无过冲和能够快速建立的目的，进而提高了基准电压瞬态建立特性的工艺健壮性。本发明还公开了一种包括所述带隙基准电路的存储芯片。
主权项：1.一种带隙基准电路，其特征在于，其包括上冲带隙基准电路和下冲带隙基准电路；上冲带隙基准电路及下冲带隙基准电路在启动完成后均能输出幅值波动小于1％的基准电压；上冲带隙基准电路、下冲带隙基准电路采用相同的电路结构，对应位置的场效应管、三极管采用相反的掺杂类型；在带隙基准电路的启动阶段，上冲带隙基准电路及下冲带隙基准电路的电压输出端均接通到基准电压输出端n0；在带隙基准电路的启动阶段之后，上冲带隙基准电路的电压输出端接通到基准电压输出端n0，下冲带隙基准电路输出端n2同基准电压输出端n0输出端断开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 普冉半导体(上海)股份有限公司 带隙基准电路及芯片
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