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申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司
摘要：一种沟槽电容器及其制备方法，沟槽电容器，包括：半导体衬底；沟槽，设置于半导体衬底中；以及电容结构，共形地覆盖所述半导体衬底的表面以及所述沟槽的内壁；其中，所述半导体衬底包括多个条形支柱以及围绕多个所述条形支柱的边缘部，相邻的条形支柱之间相互分离，限定第一沟槽，条形支柱与边缘部之间相互分离，限定第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通，所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度相等；所述支柱的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
主权项：1.一种沟槽电容器，包括：半导体衬底；沟槽，设置于半导体衬底中；以及电容结构，共形地覆盖所述半导体衬底的表面以及所述沟槽的内壁；其中，所述半导体衬底包括多个条形支柱以及围绕多个所述条形支柱的边缘部，相邻的条形支柱之间相互分离，限定第一沟槽，条形支柱与边缘部之间相互分离，限定第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通；所述第一沟槽的宽度和所述第二沟槽的宽度相等；所述支柱的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
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