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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及SOILDMOS器件结构。基底层包括在纵向由下至上依次层叠的背层硅、埋氧层和顶层硅；第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，第一导电类型漂移区和第二导电类型体区形成于顶层硅中；第一导电类型漂移区向下与埋氧层的上表面接触；漏极掺杂区，漏极掺杂区形成于第一导电类型漂移区的第一侧部的顶层中；第一侧部为第一导电类型漂移区远离第二导电类型体区的部分；源极掺杂区和基极掺杂区，源极掺杂区和基极掺杂区形成于第二导电类型体区中；掺杂浓度大于第一导电类型漂移区的第一导电类型重掺杂层，第一导电类型重掺杂层形成于第一侧部的底层中，第一导电类型重掺杂层的下表面与埋氧层的上表面接触。
主权项：1.一种SOILDMOS器件结构，其特征在于，所述SOILDMOS器件结构包括：基底层，所述基底层包括在纵向由下至上依次层叠的背层硅、埋氧层和顶层硅；第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，所述第一导电类型漂移区和第二导电类型体区形成于所述顶层硅中；所述第一导电类型漂移区向下与所述埋氧层的上表面接触；漏极掺杂区，所述漏极掺杂区形成于所述第一导电类型漂移区的第一侧部的顶层中；所述第一侧部为所述第一导电类型漂移区远离所述第二导电类型体区的部分；源极掺杂区和基极掺杂区，所述源极掺杂区和基极掺杂区形成于所述第二导电类型体区中；掺杂浓度大于所述第一导电类型漂移区的第一导电类型重掺杂层，所述第一导电类型重掺杂层形成于所述第一侧部的底层中，所述第一导电类型重掺杂层的下表面与所述埋氧层的上表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 SOI LDMOS器件结构
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