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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299250A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;C30B29/40;H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及一种基于纳米针预处理的AlGaNGaN异质结及制备方法，其中，首先对衬底进行纳米针预处理，用来制备高性能AlGaNGaN异质结，衬底的纳米针预处理方法包括步骤：提供纳米针模板，纳米针模板表面具有周期性排列的纳米针阵列；将纳米针阵列与衬底表面相对，并施加压力直至纳米针模板与衬底表面重合，分离纳米针模板和衬底，得到表面具有周期性排列的凹坑阵列的衬底。本发明在衬底的表面形成周期性排列的凹坑阵列，不仅对衬底的损伤较小，而且这些凹坑能够使得外延材料在三维生长模式下生长，同时凹坑周围具有表面悬挂键，能增加有机源在凹坑处的粘附性，精确控制外延层成核点的密度，降低了衬底上异质外延层的位错密度，从而提高衬底上外延层的质量。
主权项：1.一种衬底的纳米针预处理方法，其特征在于，包括步骤：提供纳米针模板，其中，所述纳米针模板表面具有周期性排列的纳米针阵列；将所述纳米针阵列与衬底表面相对，并施加压力直至所述纳米针模板与所述衬底表面重合，分离所述纳米针模板和所述衬底，得到表面具有周期性排列的凹坑阵列的衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于纳米针预处理的AlGaN/GaN异质结及制备方法
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