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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及一种横向电流限制增强的深紫外AlGaN基激光器结构及其制备方法，属于半导体深紫外发光技术领域。本发明的横向电流限制增强的深紫外AlGaN基激光器结构，包括衬底，固定Al组分的n型AlGaN电子注入层，固定Al组分的AlGaN下波导层，固定Al组分的AlGaN有源层，固定Al组分的AlGaN上波导层，梯度Al组分的p型AlGaN空穴注入层，p型GaN电极接触层，n电极，电隔离层，外加电场正电极，外加电场负电极，p电极。本发明的激光器结构，利用载流子在外加电场中的运动，抑制了激光输出中的高阶横模，这一结构在深紫外AlGaN基激光器中有着广阔的应用前景。
主权项：1.一种横向电流限制增强的深紫外AlGaN基激光器结构，其特征在于，包括衬底1；所述衬底1上设置固定Al组分的n型AlGaN电子注入层2；所述固定Al组分的n型AlGaN电子注入层2上依次设置有固定Al组分的AlGaN下波导层3、固定Al组分的AlGaN有源层4、固定Al组分的AlGaN上波导层5、梯度Al组分的p型AlGaN空穴注入层6和p型GaN电极接触层7，形成外延结构；所述外延结构的两侧设置有L形的电隔离层9，所述电隔离层9L形的长端靠近所述外延结构并延伸至所述p型GaN电极接触层7，L形的短端侧均设置有n电极8，且所述n电极8在所述固定Al组分的n型AlGaN电子注入层2上；一侧所述电隔离层9的L形的长端侧设置有外加电场正电极10、另一侧所述电隔离层9的L形的长端侧设置有外加电场负电极11；所述外延结构的上端设置有p电极12；所述固定Al组分的n型AlGaN电子注入层2作为欧姆接触层与电极接触，同时为有源区提供电子；所述外加电场正电极10和外加电场负电极11产生的外加电场为载流子的横向运动提供动力横向电流限制增强；梯度Al组分的p型AlGaN空穴注入层为有源区提供空穴；p型GaN电极接触层7作为p型金属接触层，与金属形成欧姆接触。
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