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申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。
主权项：1.一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构，包括：n型AlGaN层和金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50-150nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌大学 南昌硅基半导体科技有限公司 一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法
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