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申请/专利权人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院
摘要：本发明涉及一种基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法，通过对AlGaN紫外光电阴极的结构进行合理设计，获得包括层叠设置的衬底层、缓冲层、AlxGa1‑xN发射层和GaN发射层的基于GaN盖层的透射式AlGaN光电阴极；所述AlGaN紫外光电阴极的发射层由低Al组分的AlGaN和的GaN组成，在AlGaN表面生长GaN盖层，可以有效提高AlGaN材料晶体质量，改善表面形貌，并且利用AlGaN与GaN之间的内建电场，有利于促进载流子的迁移，提高光电转换效率。进一步，所述AlGaN紫外光电阴极结构简单、生长难度小易实现，没有引入过多的界面层，可以有效地降低入射光在界面层反射引起的损失，提高对入射光的吸收率，显著提高了光电阴极的量子效率以及发射性能，在导弹逼近告警等领域中具有较大的应用潜力。
主权项：1.一种AlGaN紫外光电阴极，其特征在于，包括层叠设置的衬底层、缓冲层、AlxGa1-xN发射层和GaN发射层；其中，x为0.25~0.35。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院 基于GaN盖层的AlGaN紫外光电阴极及其制备方法
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