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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种GaN基半导体发光元件，涉及半导体光电器件技术领域，该半导体发光元件，包括从下到上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层与n型半导体层之间具有n型V‑pits开启层，量子阱层与p型半导体层之间具有p型V‑pits放大层和p型V‑pits封闭层，其中，p型V‑pits封闭层形成于p型V‑pits放大层的上方。该半导体发光元件通过调控V‑pits的开启位置、放大位置和封闭位置，从而降低载流子被位错或缺陷俘获几率，提升抗静电击穿能力，同时调控量子阱的应力释放和能带倾斜程度，增强量子阱中电子空穴波函数交叠几率，提升发光二极管的增插效率WPE。
主权项：1.一种GaN基半导体发光元件，包括从下到上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，其特征在于，所述量子阱层与n型半导体层之间具有n型V-pits开启层，量子阱层与p型半导体层之间具有p型V-pits放大层和p型V-pits封闭层，其中，p型V-pits封闭层形成于p型V-pits放大层的上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种GaN基半导体发光元件
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