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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开了一种金刚石‑单晶AlN‑GaNAlGaN复合晶圆及其制备方法和应用，涉及半导体晶圆设计制备技术领域，其技术要点为：所述晶圆结构为金刚石与GaN薄膜之间为单晶AlN层，而非传统的非晶Si3N4或非晶AlN。通过使用单晶AlN层作为中间插入层，可以显著降低GaN层与金刚石衬底之间的界面热阻和插入层热阻，从而改善晶圆的散热能力；同时，单晶AlN与GaN之间的晶格失配度和热膨胀系数差异较小，在单晶AlN衬底上外延得到的GaN层相比在非晶Si3N4或非晶AlN插入层上外延生长得到的GaN层晶格质量更高、应力更低，有利于制备高性能的晶体管器件和发光器件。本发明提供的金刚石‑单晶AlN‑GaNAlGaN结构的晶圆为基础制备的器件在射频及微波HEMT器件、开关类晶体管器件、半导体激光器和LED等领域有重要的应用价值。
主权项：1.一种金刚石-单晶AlN-GaNAlGaN复合晶圆，其特征是：所述晶圆结构为精抛后单晶AlN两侧分别外延金刚石层和GaNAlGaN异质结的复合多层结构；制备所述金刚石-单晶AlN-GaNAlGaN复合晶圆时进行两次单面精抛，第二次精抛靠近GaN层的一侧表面粗糙度1nm，两次精抛后的厚度为2-80μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种金刚石-单晶AlN-GaN/AlGaN复合晶圆及其制备方法和应用
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