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一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法 

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申请/专利权人:北京华大九天科技股份有限公司

摘要:一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;2)提取电容_电压关系曲线相关参数:通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数;3)提取电流_电压关系曲线相关参数:对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法,能够降低参数提取次数,提高GaNHEMT的ASM模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。

主权项:1.一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法,其特征在于,包括以下步骤:1)给定器件的工艺参数;2)提取电容_电压关系曲线相关参数:通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数;3)提取电流_电压关系曲线相关参数:对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取,其中,在电流_电压曲线相关参数提取过程中,提取对漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线均有影响的参数;在电流_电压曲线相关参数提取过程中,首先选取偏置为vg=vth2、vth和vgg的漏极电流_漏电压曲线,偏置为vd=vdlin的漏极电流_栅电压曲线和vthgm_vd曲线进行参数提取,确定参数优化区间,再将所有曲线用来进行直流参数提取。

全文数据:

权利要求:

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