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申请/专利权人：南京百识电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种AlGaN基外延结构及制备方法，结构包括衬底、AlN本征层中的缓冲层、AlN本征层、N型AlGaN电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层和P型GaN接触层；方法包括在不同温度下依次生长AlN本征层中的缓冲层、AlN本征层、长N型AlGaN电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层、P型GaN接触层；本发明能够更有效阻挡电子从量子阱溢出，同时有利于空穴从P层迁移到量子阱层，提高内量子效率，同时能有效将电子限制在多量子阱层中，促进电子和空穴之间的复合，提高发光效率。
主权项：1.一种AlGaN基外延结构，其特征在于,该结构包括：依次层叠的衬底1、AlN本征层中的缓冲层2、AlN本征层3、N型AlGaN电子注入层4、多量子阱有源层5、电子阻挡层6、P型AlGaN空穴注入层7和P型GaN接触层8；所述电子阻挡层6是由三个子层组成，分别为AlxN、N极性AlyGa1-yN、AlzInwGa1-z-wN，其中，1＞x＞y＞z＞0.5，0＜w＜Z＜1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京百识电子科技有限公司 一种AlGaN基外延结构及制备方法
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