申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-03-22

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN118280840A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件及其制造方法，包括：提供半导体层；形成第一深沟槽结构和第二深沟槽结构；去除覆盖在半导体层上的其他层；通过热氧化工艺氧化第一深沟槽结构和第二深沟槽结构的内表面以及外露的半导体层上表面形成第一氧化层；沉积第一多晶硅，第一多晶硅填充满带有第一氧化层的第一深沟槽结构和第二深沟槽结构；依次刻蚀半导体层元胞区位置处的第一多晶硅的和第一氧化层，在第一深沟槽结构的上部形成第一容置空间；依照半导体层的表面形貌沉积形成硬质掩膜层；以硬质掩膜层为停止层对第三氧化层进行化学机械研磨；通过湿法刻蚀工艺去除第一容置空间中第三氧化层的上部。

主权项：1.一种带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件的制造方法包括以下依次进行的步骤：提供半导体层，所述半导体层包括元胞区和终端引出区；刻蚀所述半导体层的元胞区形成第一深沟槽结构，刻蚀所述半导体层的终端引出区形成第二深沟槽结构；去除覆盖在所述半导体层上的其他层，使得位于所述第一深沟槽结构和所述第二深沟槽结构槽口两侧的半导体层的上表面外露；通过热氧化工艺氧化所述第一深沟槽结构和所述第二深沟槽结构的内表面以及外露的半导体层上表面形成第一氧化层；沉积第一多晶硅，所述第一多晶硅填充满带有所述第一氧化层的第一深沟槽结构和所述第二深沟槽结构；依次刻蚀所述半导体层元胞区位置处的第一多晶硅的和第一氧化层，在所述第一深沟槽结构的上部形成第一容置空间，剩余第一多晶硅形成源极多晶硅层，剩余第一氧化层形成源极多晶硅氧化层；依照半导体层的表面形貌沉积形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层覆盖所述半导体层的元胞区和终端引出区，覆盖所述半导体层元胞区的硬质掩膜层覆盖元胞区位置处半导体层的上表面和所述第一容置空间的内表面；通过高密度等离子体沉积第三氧化层，所述第三氧化层填充满所述第一容置空间；以所述硬质掩膜层为停止层对所述第三氧化层进行化学机械研磨；通过湿法刻蚀工艺去除所述第一容置空间中第三氧化层的上部，剩余在所述第一容置空间中的第三氧化层形成极间氧化层；去除所述硬质掩膜层未与所述极间氧化层接触的部分；通过热氧化工艺使得外露的半导体表面形成第四氧化层填充形成控制栅多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件及其制造方法

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