龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：广微集成技术(深圳)有限公司
摘要：本实用新型提出了一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件，包括：衬底，中间层，半绝缘层，栅极层；中间层布置于衬底的上侧，包括漂移层以及源极层；漂移层布置于衬底，漂移层的上侧布设有源极层；其中，在中间层中形成有至少一个沟槽；半绝缘层设于沟槽内部，与漂移层接触，并具有电阻率；栅极层，设于沟槽内，靠近源极层，并与半绝缘层的上表面接触。本实用新型通过对沟槽内结构的改进，提高了器件耐压能力。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；中间层，布置于所述衬底的上侧，包括漂移层以及源极层；所述漂移层布置于所述衬底，所述漂移层的上侧布设有源极层；其中，在所述中间层中形成有至少一个沟槽；半绝缘层，设于所述沟槽内部，与所述漂移层接触，并具有电阻率；栅极层，设于所述沟槽内，靠近所述源极层，并与所述半绝缘层的上表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广微集成技术(深圳)有限公司 一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号