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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231261A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L27/07;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明使沟道区的载流子运动路径从上而下纵向，将沟槽栅氧底部完全包裹于PW区，避免了沟槽栅氧底部拐角的电场集中，防止栅氧的早期失效；并且本发明的沟槽栅碳化硅MOSFET内部同时具有PN结二极管和肖特基二极管，因此在续流过程中，肖特基二极管的低正向压降减小了器件的续流损耗，而PN结二极管则可以在通过大浪涌电流时作为另一泄流路径打开，从而提高器件的抗浪涌电流能力。此外，肖特基二极管的单极性结构在续流过程中也不会发生空穴进入到漂移层中的现象，降低了器件的双极退化风险。
主权项：1.一种集成SBD的沟槽栅碳化硅MOSFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在碳化硅衬底（1）上外延生长碳化硅漂移层（2）；S200，在碳化硅漂移层（2）上通过Al离子注入形成PW区（3）；S300，在碳化硅漂移层（2）上外延生长形成N+区（4）；S400，从N+区（4）的顶面向下刻蚀，形成延伸至PW区（3）的沟槽区（5）；S500，沟槽区（5）通过N离子注入在PW区（3）内形成NP区（6）；S600，沟槽区（5）的中部通过Al离子在PW区（3）内注入形成PP区（7）；S700，在沟槽区（5）的侧部通过干氧生长形成栅氧层（8）；S800，在栅氧层（8）上通过淀积多晶硅形成Poly层（9），作MOS的栅电极；S900，在栅氧层（8）和Poly层（9）的外部通过淀积形成隔离介质层（10）；S1000，在沟槽区（5）的底部通过金属溅射形成欧姆金属层（11）；S1100，在N+区（4）的上方通过金属溅射形成肖特基金属层（12）；S1200，在芯片上方金属溅射形成正面电极金属（13），作MOS的源电极。
全文数据：
权利要求：
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