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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法，涉及半导体器件。本发明提供了一种源极驱动沟道二极管的SiCMOS结构，当SiCMOS器件工作在第三象限时，源极加上正电压，可以将部分沟道开启，一部分电流通过沟道从源极流向漏极，还有一部分电流通过寄生P‑i‑N二极管流向漏极，电流路径可以分解为两个流向，极大的降低了器件在第三项象限的导通损耗。本发明方法制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。
主权项：1.一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，提供N型衬底（3）；在上表面覆盖N型轻掺杂类型的外延层（5），下表面形成金属电极层；步骤S200，在外延层（5）表面形成窗口区域，并对窗口区域进行P型掺杂形成若干P-Well阱区（6）；步骤S300，相邻P-well阱区（6）之间间隔区域为JFET区（18），通过掩膜对JFET区（18）进行轻掺杂；步骤S400，通过掩膜光刻在P-Well阱区（6）表面进行P型重掺杂（7）和N型重掺杂（14），形成源区和欧姆接触区；步骤S500，通过高温干氧氧化工艺在外延层（5）顶面形成栅极驱动氧化层（11）；步骤S600，在栅极驱动氧化层（11）表面淀积Ploy，形成栅电极Ploy（12），再通过光刻显影和干法刻蚀工艺开出源极区域；步骤S700，通过淀积钝化层（10）将栅电极结构与接触区隔离；步骤S800，刻蚀钝化层（10）开出欧姆接触窗口，并通过淀积金属与高温退火合金化，形成良好的欧姆接触层；步骤S900，通过干法刻蚀在钝化层（10）表面开出源极驱动窗口；步骤S1000，正面通过淀积电极金属形成源极接触（19）；步骤S1100，背面通过减薄、淀积金属、激光退火和淀积电极金属，形成漏极电极（1）。
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