买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：成都蓉矽半导体有限公司

摘要：本发明提供了一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET,涉及MOSFET器件技术领域,其目的是在相同的功率限制下达到更高的电流，第一P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层的左肩；第一栅氧化层与第一P型碳化硅埋层相接，N型碳化硅外延层凸台相接；第一多晶硅位于第一栅氧化层；第二P型碳化硅埋层位于N型碳化硅外延层右肩；第二栅氧化层与第二P型碳化硅埋层相接，与N型碳化硅外延层凸台相接；第二多晶硅位于第二栅氧化层；P型碳化硅基区设置在N型碳化硅外延层，P型碳化硅基区、第一栅氧化层和第二栅氧化层相接；P型碳化硅基区上设置源区层、介质及金属层。本发明具有在不影响器件开关损耗的前提下提升过电流能力的优点。

主权项：1.一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET，其特征在于，包括背面金属01，混合衬底层，N型碳化硅外延层04，第一P型碳化硅埋层051，第二P型碳化硅埋层052，第一栅氧化层061，第二栅氧化层062，第一多晶硅071，第二多晶硅072，P型碳化硅基区08，源区层，介质及金属层；所述第一栅氧化层061和所述第二栅氧化层062均为L型；所述N型碳化硅外延层04为凸台结构；所述混合衬底层设置在所述背面金属01上；所述N型碳化硅外延层04设置在所述混合衬底层上；所述第一P型碳化硅埋层051位于所述N型碳化硅外延层04的左肩凹槽；所述第一栅氧化层061的第一边与所述第一P型碳化硅埋层051上方相接，第二边与N型碳化硅外延层04凸台的左侧相接；所述第一多晶硅071位于所述第一栅氧化层061的L型槽内；所述第二P型碳化硅埋层052位于所述N型碳化硅外延层04右肩凹槽；所述第二栅氧化层062的第一边与所述第二P型碳化硅埋层052上方相接，第二边与N型碳化硅外延层04凸台的右侧相接；所述第二多晶硅072位于所述第二栅氧化层062的L型槽内；所述P型碳化硅基区08设置在所述N型碳化硅外延层04的凸台上，且所述P型碳化硅基区08的左侧和右侧分别与所述第一栅氧化层061的第二边和所述第二栅氧化层062的第二边相接；所述P型碳化硅基区08的上方设置源区层；所述源区层的上方设置有介质及金属层；所述源区层包括第一N型碳化硅源区091，第二N型碳化硅源区092和P型碳化硅源区010；所述第一N型碳化硅源区091，所述第二N型碳化硅源区092和所述P型碳化硅源区010从左到右依次相接排列；所述第一N型碳化硅源区091的左侧与所述第一栅氧化层061的第二边接触；所述第二N型碳化硅源区092与所述第二栅氧化层062的第二边接触；所述介质及金属层包括层间介质011和表面金属012；所述层间介质011的底部与所述第一多晶硅071上方、第一栅氧化层061的第二边的上方和第一N型碳化硅源区091的左上方相接；所述表面金属012为L型结构，其L型开口朝下，所述表面金属012的第一边的底部与所述层间介质011的顶部相接，所述表面金属012的第二边的左侧与所述层间介质011的顶部右侧相接，所述表面金属012的第二边的底部与所述第一N型碳化硅源区091的右上方、所述P型碳化硅源区010和所述第二N型碳化硅源区092相接；所述第一N型碳化硅源区091、所述P型碳化硅源区010和所述第二N型碳化硅源区092三个区域与所述表面金属012之间利用金属Ni或金属Ti形成金属硅化物；所述混合衬底层包括第一N型碳化硅衬底021，第二N型碳化硅衬底022，P型碳化硅衬底03；所述第一N型碳化硅衬底021设置在所述背面金属01的左上方；所述第二N型碳化硅衬底022设置在所述背面金属01的右上方；所述P型碳化硅衬底03设置在所述第一N型碳化硅衬底021和所述第二N型碳化硅衬底022之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都蓉矽半导体有限公司 一种电流能力优化的沟槽碳化硅MOSFET