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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231236A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/423;H10B41/35;H10B41/70
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种自对准叠栅结构及其制造方法，应用于半导体领域中。具体提出了一种新的叠栅结构，且该叠栅结构中的控制栅的形状为沿垂直方向增大面积后的侧墙状，而形成该特殊形状的控制栅的工艺为自对准刻蚀工艺，即在无需增加光刻工艺的情况下，通过各向异性的控制栅刻蚀方式形成，提高了制造方法的效率，降低了制造成本，并进一步缩小了闪存单元结构的面积和增强了增强闪存单元结构的编程能力。并且，可通过对所述控制栅层的厚度形成、及其后续进行的自对准刻蚀工艺的控制，实现对形成的侧墙状控制栅结构的形状进行有效控制，即简化了制造方法的步骤，降低了闪存产品的制造成本。
主权项：1.一种自对准叠栅结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上层叠设置有耦合氧化层、浮栅层和第一介质层，所述第一介质层内开设有一凹槽；形成第二介质层和控制栅层，所述第二介质层覆盖在所述凹槽的内表面上，所述控制栅层覆盖在所述第二介质层上；刻蚀去除部分所述控制栅层和第二介质层，以在所述凹槽内形成两个不直接接触的侧墙状控制栅结构，并暴露出所述侧墙状控制栅结构之间的所述浮栅层；形成位移侧墙，所述位移侧墙覆盖在所述侧墙状控制栅结构的表面上；刻蚀暴露的所述浮栅层及位于其下方的所述耦合氧化层，以形成自对准叠栅结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种自对准叠栅结构及其制造方法
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