龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231237A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，包括：提供具有第一沟槽的衬底；在第一沟槽的侧壁和底壁均形成屏蔽栅介质材料层，屏蔽栅介质材料层形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁形成侧墙，侧墙的纵截面呈现上小下大的形状，侧墙之间露出部分第二沟槽的底壁；向第二沟槽内填充隔离介质材料层；刻蚀隔离介质材料层和屏蔽栅介质层，以露出第一沟槽的上部分侧壁，剩余的屏蔽栅介质材料层形成屏蔽栅介质层；填充栅介质材料层，覆盖屏蔽栅介质层和剩余的隔离介质材料层，并且在第一沟槽的上部分侧壁上形成栅介质层，覆盖屏蔽栅介质层和剩余的隔离介质材料层的栅介质材料层与剩余的隔离介质材料层组成隔离层；在隔离层和栅介质层形成的空间内形成第二栅多晶硅。
主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：提供具有第一沟槽的衬底；在所述第一沟槽的侧壁和底壁均形成屏蔽栅介质材料层，所述屏蔽栅介质材料层形成第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁形成侧墙，所述侧墙的纵截面呈现上小下大的形状，所述侧墙之间露出部分所述第二沟槽的底壁；向所述第二沟槽内填充隔离介质材料层；刻蚀所述隔离介质材料层和屏蔽栅介质材料层，以露出所述第一沟槽的上部分侧壁，剩余的所述屏蔽栅介质材料层形成屏蔽栅介质层；填充栅介质材料层，覆盖所述屏蔽栅介质层和剩余的隔离介质材料层，并且在第一沟槽的上部分侧壁上形成栅介质层，覆盖所述屏蔽栅介质层和剩余的隔离介质材料层的栅介质材料层与剩余的隔离介质材料层组成隔离层；在所述隔离层和栅介质层形成的空间内形成第二栅多晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET的形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号