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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231256A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制作方法，方法包括在外延层上形成图案化的硬质掩膜结构，并在硬质掩膜结构侧壁形成侧墙；以硬质掩膜结构和侧墙为掩膜，对外延层进行刻蚀形成沟槽；在沟槽的底部表面和侧面形成介质层；淀积第一多晶硅并回刻第一多晶硅至高于所述侧墙底部的位置；刻蚀去除侧墙和位于侧墙下方的部分介质层；刻蚀第一多晶硅至沟槽表面，在沟槽中依次形成栅氧化层和第二多晶硅；以沟槽为掩膜，对外延层进行杂质离子注入形成阱区和源区；淀积层间膜并刻蚀形成接触孔。本发明通过引入侧墙来定义第二多晶硅填充宽度；在侧墙去除后，以第一多晶硅顶部区域做阻挡层，刻蚀介质层，从而保证第一多晶硅两侧形成较厚介质层，提升了器件可靠性。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底表面形成有外延层；步骤二、在所述外延层上形成图案化的硬质掩膜结构，并在所述硬质掩膜结构侧壁形成侧墙；步骤三、以所述硬质掩膜结构和所述侧墙为掩膜，对所述外延层进行刻蚀，在所述外延层中形成沟槽；步骤四、在所述沟槽的底部表面和侧面形成介质层，所述介质层未将所述沟槽完全填充而在所述沟槽的中央区域形成间隙区；步骤五、淀积第一多晶硅将所述间隙区完全填充，并回刻所述第一多晶硅至高于所述侧墙底部的位置；步骤六、刻蚀去除所述侧墙和位于所述侧墙下方的部分所述介质层；步骤七、刻蚀所述第一多晶硅至所述沟槽表面，在沟槽中刻蚀去除所述部分所述介质层的位置依次形成栅氧化层和第二多晶硅，所述栅氧化层和所述介质层共同构成所述第一多晶硅和所述第二多晶硅间的隔离介质层；步骤八、以所述沟槽为掩膜，对所述外延层进行杂质离子注入形成阱区和源区；步骤九、淀积层间膜并刻蚀形成接触孔；步骤十、正面金属化、背面减薄及金属化，形成最终器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法
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