申请/专利权人：北京航空航天大学

申请日：2024-04-17

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118070559B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;H01L21/66;G06F119/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开

摘要：本发明涉及一种制造时基于裕量退化的可靠性验收的半导体抽样测试方法，属于验收抽样技术领域，解决了现有技术中对投入验收抽样试验的半导体样品利用率不足、信息量不够、试验成本过高以及验收抽样对批次半导体样品鉴别准确性低的问题。本发明的制造时基于裕量退化的可靠性验收的半导体抽样测试方法，考虑了验收抽样过程中的半导体样品裕量退化规律，充分利用了半导体样品裕量退化的过程信息，提出了验收抽样方案设计优化模型，并设计了优化算法，求解最优验收抽样方案，提高了验收抽样对批次半导体样品鉴别的准确性。

主权项：1.一种制造时基于裕量退化的可靠性验收的半导体抽样测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1.制造获得半导体样品；建立约定的双方风险、验收指标和接收准则约定的双方风险包括约定生产方风险和约定使用方风险；其中，约定生产方风险是双方事先约定好的生产方能够承担的最大风险，约定使用方风险是双方事先约定好的使用方能够承担的最大风险；验收指标包括生产方验收指标和使用方验收指标；其中，生产方验收指标严于使用方验收指标，表示为；接收准则包括和；其中，和分别为预设的性能退化量初值和预设的性能退化速率；为半导体样品的性能退化量初值；为半导体样品在任意时刻的性能退化速率；步骤S2.构建理论的双方风险的计算式，表达式为： ；其中，表示信度；和分别为待通过理论计算得到的理论生产方风险和理论使用方风险；表示待通过可靠性验收抽样样本退化模型计算得到的考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性函数；s为预设温度；为可靠性验收抽样方案；为可靠性验收抽样样本量；为时间；为等间隔的检测时间间隔；表示事件.的补集；步骤S3.根据约定的双方风险、验收指标、接收准则和理论的双方风险的计算式，构建可靠性验收抽样方案设计优化模型；步骤S4.构建批次半导体样品退化模型，用于仿真得到退化试验数据；步骤S5.构建可靠性验收抽样样本退化模型，并根据可靠性验收抽样样本退化模型得到考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性函数；再根据退化试验数据，估计得到可靠性验收抽样样本退化模型的参数，代入考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性函数，然后利用参数确定的考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性函数计算得到考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性；步骤S6.根据考虑裕量退化的批次半导体样品的可靠性，利用理论的双方风险的计算式计算得到理论的双方风险；步骤S7.根据步骤S6的理论的双方风险和步骤S1的约定的双方风险，利用步骤S3的可靠性验收抽样方案设计优化模型，输出得到考虑裕量退化的可靠性验收抽样方案；步骤S8.根据考虑裕量退化的可靠性验收抽样方案，对半导体样品进行抽样并检测，若检测结果符合使用方要求，则按照当前制造工艺进行半导体制造；否则改进制造工艺并执行步骤S1~S8，直至半导体样品的检测结果符合使用方要求。

全文数据：

权利要求：

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