申请/专利权人：国芯科技(广州)有限公司

申请日：2024-03-12

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118232861A

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;H03F1/42;H03F1/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明公开了利用双栅放大的宽带运算放大器。本发明包括共源放大的第一级和双栅放大的第二级，具体包括七个NMOS管、七个PMOS管、四个电阻和四个电容。本发明通过第一级输出的正相信号和反相信号同时驱动第二级的NMOS和PMOS放大管，提高了运放第二级的跨导，提高了运放的增益。另外，第二级的有源负载的电流也会跟随第一级输出信号的变化，加快了第二级电流电流的变化，从而提高了输出信号的转换速率。另外，双栅放大的NMOS管和PMOS管是采取串联的方式，复用一路电流，减小了电流的消耗。

主权项：1.利用双栅放大的宽带运算放大器，包括七个NMOS管、七个PMOS管、四个电阻和四个电容，其特征在于：第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2的漏极、第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2的源极、第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端接电源VDD，第一PMOS管PM1的栅极和第二PMOS管PM2的栅极连接；第一NMOS管NM1的源极接第三PMOS管PM3的源极，第一电容C1的一端和第一电阻R1的另一端接第一NMOS管NM1的栅极；第二NMOS管NM2的源极接第四PMOS管PM4的源极，第二电容C2的一端和第二电阻R2的另一端接第二NMOS管NM2的栅极；第一PMOS管PM1的漏极、第三PMOS管PM3的栅极、第三NMOS管NM3的漏极连接第二电容C2的另一端和第三电容C3的一端，第二PMOS管PM2的漏极、第四PMOS管PM4的栅极、第四NMOS管NM4的漏极连接第一电容C1的另一端和第四电容C4的一端，第三NMOS管NM3的源极和第四NMOS管NM4的源极连接第五NMOS管NM5的漏极，第三NMOS管NM3的栅极作为一个信号输入端，第四NMOS管NM4的栅极作为另一个信号输入端；第三PMOS管PM3的漏极与第六NMOS管NM6的漏极连接，作为一个信号输出端；第四PMOS管PM4的漏极与第七NMOS管NM7的漏极连接，作为另一个信号输出端；第五、第六和第七NMOS管的栅极连接，为偏置电压输入端vntail；第六NMOS管NM6的源极接第五PMOS管PM5的源极，第四电容C4的另一端和第三电阻R3的一端接第五PMOS管PM5的栅极；第七NMOS管NM7的源极接第六PMOS管PM6源极，第三电容C3的另一端和第四电阻R4的一端接第六PMOS管PM6的栅极；第五NMOS管NM5的源极接第七PMOS管PM7的源极，第五PMOS管PM5的漏极、第六PMOS管PM6的漏极、第七PMOS管PM7的漏极和栅极、第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的另一端连接后接地VSS。

全文数据：

权利要求：

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