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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端耐压设计结构及其制作方法，MOSFET器件具有构成耐压阵列区的沟槽，终端耐压设计结构为在耐压阵列区外围设置的耐压增大区，并且该耐压增大区与耐压阵列区逐步成型。该MOSFET器件的制作方法包括刻蚀沟槽形成耐压阵列区，及在部分沟槽底部进行深阱离子注入，其与沟道注入分别进行，形成耐压增大区。本发明终端耐压设计结构的耐压增大区能有效提升MOSFET器件的耐压性能，而保证其正常的工作区域面积，解决目前沟道离子注入场限环耐压MOSFET器件的最外围耐压环受热过程的作用，导致扩散占用面积增大，而压缩实际MOSFET器件工作区域面积的问题，并且不受沟道离子注入的调整影响到终端区的耐压。
主权项：1.一种MOSFET器件终端耐压设计结构，所述MOSFET器件在其外延层中间距设有沟槽，所述沟槽构成耐压阵列区，其特征在于：所述终端耐压设计结构为在所述耐压阵列区外围设置的耐压增大区，并且该耐压增大区与所述耐压阵列区逐步成型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种MOSFET器件终端耐压设计结构及其制作方法
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