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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明提供的一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：利用原子层沉积ALD方法生长高质量AlScN薄膜，本发明能够减少薄膜中的缺陷，避免界面的不均匀性和缺陷使得AlScN薄膜与基底之间的界面质量得到显著改善，这与传统生长方式相比将有助于提高薄膜的结构完整性、三维均匀性、界面耦合以及界面态的影响。优化界面质量对于提高薄膜的性能至关重要。
主权项：1.一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用ALD方法生长得到AlScN薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法
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