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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：发明提供了一种高Sc组分的AlScN铁电薄膜及其制备方法和应用，AlScN铁电薄膜的制备全程采用PLD技术，基于具有原子级的III族氮化物薄膜作为缓冲层，在其表面生长AlScN铁电薄膜；所述III族氮化物具有002晶相取向；所述AlScN铁电薄膜具有纤锌矿结构。本发明技术方案采用脉冲激光沉积PLD技术在高温≥700℃下生长具有002取向的具有原子级别平整的AlN薄膜，在这基础上进行高Sc掺杂AlScN薄膜的生长，能够形成较好的匹配，其中Sc含量大于30％，获得的AlScN薄膜的表面可达原子级别的平整。
主权项：1.一种高Sc组分的AlScN铁电薄膜的制备方法，包括：采用PLD技术，基于具有原子级的III族氮化物薄膜作为缓冲层，在其表面生长AlScN铁电薄膜；其中，所述III族氮化物具有002晶相取向；所述AlScN铁电薄膜具有纤锌矿结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种高Sc组分的AlScN铁电薄膜及其制备方法和应用
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