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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：本发明涉及一种基于AlNAlScNAlN堆叠结构的忆阻器、制备方法及其应用，属于电子器件技术领域。所述忆阻器包括自下而上依次设置的下电极、介电层和上电极，其中，所述介电层为三层AlNAlScNAlN堆叠结构，AlN、AlScN、AlN的厚度比为1:0.5:1~1:2:1。基于界面工程设计的三层AlNAlScNAlN堆叠忆阻器，展现出极快开关速度、低操作电压、超低功耗等优异性能；通过耦合铁电压电极化效应影响导电细丝形成过程，在RESET操作下表现出显著的渐变开关行为，可使器件具有更高线性度的电导态调控特性。另外，通过适当调节限制电流和复位停止电压等条件，器件具有可控渐进开关和多级电导的显著特性，对于模拟计算架构的发展至关重要，可以实现更高效和准确的神经形态系统。
主权项：1.一种基于AlNAlScNAlN堆叠结构的忆阻器，其特征在于：包括自下而上依次设置的下电极、介电层和上电极，其中，所述介电层为三层AlNAlScNAlN堆叠结构，AlN、AlScN、AlN的厚度比为1:0.5:1~1:2:1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 一种基于AlN/AlScN/AlN堆叠结构的忆阻器、制备方法及其应用
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